细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
氮化硅粉氮含量
氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展 CERADIR 先进
1970年1月1日 — 分享 摘要: 氮化硅陶瓷不仅具有较高的力学性能还具有良好的透波性能、导热性能以及生物相容性能,是公认的综合性能最优的陶瓷材料。 作为轴承球的致密氮化硅 2024年1月2日 — 制法 以硅粉为原料，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在1350～1450℃的高温炉中进行第二次氰化，反应成 氮化硅粉末化工百科 ChemBK
氮化硅微粉制备技术研究现状及进展 技术进展 中国粉体
2015年2月11日 — 李亚伟等还详细研究了硅粉直接氮化反应合成氮化硅粉末的工艺因素，研究结果表明：硅粉在流动氮气氛下,高于1200 ℃氮化产物中氮含量明显增加;在氮化反应同 摘要 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350 ℃保温3 h,氮化产物中αSi 3 N 4 含量随原料氧 表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响
燃烧合成氮化硅粉体的性能 一致性评价方法和应用
2023年10月23日 — 氮化硅粉体以近零能耗、短流程、绿色制备的优势 在氮化硅生产企业中异军突起, 迅速扩张[34]。燃烧 合成的氮化硅粉体在α/β相含量、粒度分布、杂质 含量等指 2016年11月17日 — 目前,Si粉催化氮化的机理尚未正式定论,液相的存在被认为是Si粉催化氮化过程中的关键因及机械、化工、电子、军工等行业[1–7] 。 但目前Si3N4材料在制备过程 Ni 纳米颗粒催化氮化反应制备氮化硅粉体
硅粉氮化法制备的氮化硅粉体指标 百度文库
硅粉氮化法是一种常用的制备氮化硅粉体的方法，通过对氨气和硅粉进行反应，可以得到高纯度的氮化硅粉体。 这种方法制备的氮化硅粉体具有一定的指标，包括颗粒大小、比表面 摘要： 以平均粒径为28μm的硅粉为原料,添加氮化硅粉作为稀释剂,对常压氮气下直接氮化制备Si3N4粉的工艺进行了研究,借助于氮氧测定仪、XRD、SEM等检测方法,分析了硅粉常 硅粉常压直接氮化制备氮化硅粉的研究 jtxb
氮化硅陶瓷介绍与应用 CERADIR 先进陶瓷在线
2020年11月7日 — 一般硅粉中含有Fe、SiO2、Ca等杂 质，要求这些杂质总量应小于2%。 Si粉氮化而得Si3N4 粉料一般为αSi3N4和βSi3N4混合物，将高纯硅粉在1200~ 1300℃氮化可得高含量αSi3N4， 而在1450℃氮化则得 2022年5月26日 — 氮化硅的烧结通常采用液相烧结的方式，更容易致密和各方面性能最优化。液相烧结需要烧结助剂的加入，为了提高氮化硅的性能，添加合适的烧结助剂来调节液相的组成以及含量非常重要。【原创】 浅述三大类氮化硅陶瓷烧结助剂 中国粉体网
氮化硅粉末化工百科 ChemBK
2024年1月2日 — 以硅粉为原料，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在1350～1450℃的高温炉中进行第二次 氰化，反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料，将硅石与碳按一定比例充分混合，通入氮气加热 1970年1月1日 — 硅粉氮化法[5]的基本原理是硅粉和氮气、氨气等含氮气体在高温下进行反应生成氮化硅,该方法具有产品性能稳定性好、成本低等优点,是应用最广泛、技术最成熟的氮化硅粉体批量化生产方法。 吴浩成等 [68] 在 1982 年氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展 CERADIR 先进
10亿元！氮化硅新材料项目签约桐乡中国纳米行业门户
4 天之前 — 10亿元！氮化硅新材料项目签约桐乡 2024/09/03 点击 287 次 中国粉体网讯 9月2日上午，在“招商突破年、变革创新年、环境提升年”月度工作推进活动上，总投资99亿元的40个优质产业项目集中签约。 其中，氮化硅新材料生产项目总投资 10亿元，主要建设 氮化硅粉体产线，其中一期项目计划投资5亿元 2023年3月9日 — 氮化硅简介 氮化硅的结构 氮化硅(Si3N4)是一种由硅和氮组成的共价键化合物，有α、β两种晶型。αSi3N4为颗粒结晶，βSi3N4为针状结晶体，两者均属六方晶系。 氮化硅的诞生1857年亨利爱丁圣克莱尔德维尔和氮化硅材料的性能特点及其应用简介 知乎
10亿元！氮化硅新材料项目签约桐乡 中国粉体网
3 天之前 — 中国粉体网讯 9月2日上午，在“招商突破年、变革创新年、环境提升年”月度工作推进活动上，总投资99亿元的40个优质产业项目集中签约。 其中，氮化硅新材料生产项目总投资 10亿元，主要建设 氮化硅粉体产线，其中一期项目计划投资5亿元，项目全部达产后预计可实现年产值6亿元。2024年1月2日 — 以硅粉为原料，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在1350～1450℃的高温炉中进行第二次 氰化，反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料，将硅石与碳按一定比例充分混合，通入氮气加热 氮化硅化工百科 ChemBK
硅粉直接氮化反应合成氮化硅研究 豆丁网
2016年1月6日 — 比较不同粒度硅粉氮化产物的氮含量与残留硅量，硅粉粒度降低，有利于氮化反应过程。图!硅粉在不同温度下氮化率与残留硅含量""素坯成型压力硅粉氮化反应为气—固或气—气反应机理，氮气应扩散至硅粉颗粒表面才能发生反应[l]。2024年1月2日 — 以硅粉为原料，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在1350～1450℃的高温炉中进行第二次 氰化，反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料，将硅石与碳按一定比例充分混合，通入氮气加热 氮化硅粉化工百科 ChemBK
氮化硅 百度百科
氮化硅是一種無機物，化學式為Si3N4。它是一種重要的結構陶瓷材料，硬度大，本身具有潤滑性，並且耐磨損，為原子晶體；高温時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱衝擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱， 2023年7月25日 — 氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料，其性能是影响氮化硅坯体成型、烧结的关键因素，对最终氮化硅陶瓷产品的致密度、力学性能等都具有重要影响。 1、氮化硅陶瓷对粉体的要求 （1）粒子的分散性高，均质性好 对氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料 知乎
氮化硅微粉制备技术研究现状及进展 技术进展 中国粉体
2015年2月11日 — 此法所得粉末纯度高、颗粒细、αSi3N4含量高、反应吸热，不需要分阶段氮化，氮化速度比硅粉直接氮化法快。反应中需要加入过量的碳以保证二氧化硅完全反应，残留的碳在氮化以后经600 ℃燃烧可排除，有可能产生SiO、SiN，要对组分和温度加以严格控 摘要点击次数: 2088 全文下载次数: 549 中文摘要: 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350 ℃保温3 h,氮化产物中αSi 3 N 4 含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为391%时,氮化产物中αSi 3 N 表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响Effects of
氮化铝中氧和氮的测定 Horiba
生产氮化铝的烧结过程中，氧化物对于良好的烧结是必要的。但氧会降低最终产品的性能，氧含量需要精确管控。EMGA920在保持AIN中氧测定所需精度的同时可精确测量高含量的氮 生产氮化铝的烧结过程中，氧化物对于良好的烧结是必要的。氮化硅微粉制备技术研究现状及进展（2）激光气相反应法（LICVD）激光气相反应合成Si3N4粉末法是以CO2激光器作为 高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原材料，合成了粒度小、粒径分布均匀、含氮量为363%的无定形氮化硅 粉末。 氮化硅微粉制备技术研究现状及进展 百度文库
分散剂对氮化硅浆料流变性
2009年9月2日 — 一目标主要通过控制粉体在介质中的胶体特性、 浆料 值以及分散剂来获得 本文通过分 散剂及其用量对氮化硅粉体的胶体特性、 流变特性影响的研究, 选择氮化硅陶瓷浆料制备 的工艺条件 实验 实验原料 本实验选用德国 公司的 粉体 以下简称 粉 作为研究对象,2019年7月31日 — 不同频率下，氢和氮结合形式不同，利用高、低 频交替沉积氮化硅薄膜就显得十分必要。2 实验结果与分析 21 氮化硅沉积工艺 采用高低频交替生长氮化硅，20 s为一个周 期，温度为300℃，硅烷采用5% SiH4与氮气的 混合气，具体工艺参数见表1，其中编号PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究
氮化硅陶瓷添加剂和制备工艺的研究进展
2021年1月7日 — 随着对氮化硅陶瓷研究的不断深入，其热学性能、介电性能有了极大的改善，使之可应用在电子器件等领域。总结了制备氮化硅陶瓷材料所使用的烧结助剂，包括氧化物烧结助剂、非氧化物烧结助剂和其他烧结助剂；比较了氮化硅陶瓷材料的烧结方式，包括热压烧结、气压烧结、放电等离子烧结、无 2015年6月2日 — 当氮含量超过其在硅中的固溶度时，便会有氮化硅析出。硅中氮化硅主要以杆状的βSi 3 N 4 为主 [29]，并且形成于硅熔体的固液界面处，而不是在硅凝固后形成 [13]。其直径一般为微米级，但长度可达到毫米级 [25]。太阳能级硅中轻质元素 (C,N,O)研究进展
氮化硅粉 氮制品产品中心 安阳市中豫锦明硅业有
氮化硅粉作为一种现代工业的新型材判广泛应用于陶瓷、耐火、钢铁冶金、有色冶炼、橡胶等行业。如： D、氮化硅在单位质量氮含量中仅次于氮化硼，价格较低，在增氮方面有非常高的性价比。 3)由于该产品在新型陶 含氮量：382% 金属杂质含量：见当批生产后的检测报告 a相含量：>95% D50: 05um 比表面积：1324m2/g 外观：灰白色粉末 保存期: 干燥环境下保存一年 应用 ： 1 高性能氮化硅陶瓷结构件，氮化硅陶瓷轴承球原料 2 太阳能多晶硅铸锭用石英坩埚涂层粉 4日本宇部UBE氮化硅粉 产品中心
燃烧合成氮化硅粉体的性能 一致性评价方法和应用
2023年10月23日 — 陶瓷的应用需求不断扩大, 市场规模持续增长。氮 化硅粉体作为生产氮化硅陶瓷的核心原料, 其质量 的稳定性、品质的一致性, 对制品生产的工艺稳定 和产品品质稳定起到决定性作用。 氮化硅粉体的主流生产工艺有氨解法和硅粉氮Alzchem的高α相氮化硅粉末 由于其纯度，晶粒尺寸和稳定性，Silzot ® HQ 氮化硅粉末可提供制造出高性能的氮化硅陶瓷。 此外, 在太阳能和电子级工业应用领域， Alzchem可以提供超高纯度的氮化硅粉末。 Silzot ® SQ拥有非常低的杂质含量和有利的α相到β相的转化率。Silzot® Alzchem Group
GBT 422762022氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定
2023年1月18日 — 内容提示： ICS77 040CCS H17中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准GB/ T42276 — 2022氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法 摘要: 以平均粒径为 2 8Lm 的硅粉为原料, 添加氮化硅粉作为稀释剂, 对常压氮气下 直接氮化制 备 S i N4 粉的工艺 3 进行了研究, 借助于氮氧测定仪、 XRD、 SEM 等检 测方法, 分析 了硅粉 常压直 接氮化 制备 S i3 N4 粉过程 中稀 释剂种 类、 稀释剂添加比例、 氮化温度、 氮化时间等因素对硅的氮化过程的 硅粉常压直接氮化制备氮化硅粉的研究 百度文库
日本宇部UBE氮化硅粉
3 天之前 — 日本宇部UBE氮化硅粉 产品名称 日本宇部UBE氮化硅粉 公司名称 合肥艾嘉新材料科技有限公司 价格 140000/千克 规格参数 品牌:宇部UBE 粒径:07um 型号:SNE1031 氮化硅含量 氮化硅粉体的化学成分是其质量和性能的基础。硅粉氮化法制备的氮化硅粉体，其氮化硅含量应符合特定的要求，通常要求氮化硅含量高于995。 32 杂质含量 另外，氮化硅粉体中的杂质含量也是重要的指标之一。硅粉氮化法制备的氮化硅粉体指标 百度文库
氮化硅粉末常用的6种制备方法反应
2021年1月15日 — 该方法比较简单，成本较低，将金属硅粉置于氮气或者氨气的气氛下加热，金属硅粉与氮源直接反应生成氮化硅粉 体。其反应方程式如下 碳热还原法所用的原料成本较低，制备的粉末产品粒度小，反应速度快，αSi3N4含量 2022年1月10日 — 中国粉体网讯 氮化硅陶瓷（Si 3 N 4 ）具有优异的抗弯强度、抗热震性、抗酸碱腐蚀性以及热导性能，是航空航天、医疗器械、电动汽车等领域的关键材料。 研究表明氮化硅陶瓷具有很高的理论热导率，氮化硅为强共价键化合物，其导热是以晶格热振动为主导，而影响陶瓷导热性能的关键是第二相 氮化硅的氧化行为，必须搞懂！百科资讯中国粉体网
氮化硅陶瓷（Si3N4）基本性质 知乎
2021年1月31日 — 氮化硅陶瓷 在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。比体积电阻,20℃时为14105Q m ,500℃时为4108Q m 。弹性模量28420~46060MPaD耐压强度为490MPa(反应烧结的)。1285℃时与氮化 2022年10月11日 — 氮化硅铁中的主要物质为氮化硅，主晶相为β相，占72～80wt％，其中硅含量49～53wt％，氮含量29～32wt％，铁含量11～14wt％，颜色为灰白色。氮化硅铁材料对熔融Al、Pb、Sn、Zn、Bi有很好的抗侵蚀性，对熔融Mg、Cu、Ni也有较好的抗侵蚀性。氮化硅铁 知乎
Ni 纳米颗粒催化氮化反应制备氮化硅粉体
2016年11月17日 — 第45 卷第1 期 古亚军 等：Ni 纳米颗粒催化氮化反应制备氮化硅粉体 121 会减少Si3N4 壳层对内层Si 粉氮化的阻碍作用。 此 外，Boyer 还认为，催化剂可以使Si 粉表面的氧化 层开裂，增加了N2 与Si 的接触面积，提高了Si 粉 的氮化效率。2015年8月30日 — 纳 米 颗 粒 用 量 、氮 化温度及氮化时 间等对硅粉催化 氮 化 过 程 的 影 响 ，并 在 此 基 础 上 研 究 产 物 中 Si3N4 晶 须 的 生 长 机 理 。 先 通过单质硅粉表面的 静电吸附使 Fe 3＋ 附 着 在 硅 粉 表 面 ，然 后 通 过 NaBH4 液 相 原 位 还铁纳米颗粒催化氮化硅粉 豆丁网
氮化硅陶瓷——四大领域的“领跑者”百科资讯中国粉体网
2022年5月23日 — 中国粉体网讯 氮化硅(Si 3 N 4)是一种由硅和氮组成的共价键化合物，1857年被发现，到1955年，其作为陶瓷材料实现了大规模生产。 致密Si3N4陶瓷还表现出高断裂韧性、高模量 特性和自润滑性，可以出色地抵抗多种磨损，承受可能导致其他陶瓷 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中αSi3 N4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为391%时,氮化产物中αSi3 N4含量可表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响 百度学术
纳米氮化硅粉体 (Si3N4)产品库中国粉体网
2024年8月27日 — 纳米氮化硅粉体(Si3N4) 规格： A+ 产地： 中国 包装： 根据客户要求 数量： 不限 产品说明： 参数指标： 纯度: >99%, 总氧含量：01% 含氮量：378% 总金属杂质含量： 500ppm D50: 40nm 比表面积：7687m2/g 外观：灰白粉末 保存期: 干燥环境下保存二年 性能：尺寸稳定性好，机械强度高，耐化学腐蚀性能好 2021年6月3日 — 本标准适用于以硅粉氮化法制备的氮含量不低于37% 最大粒径≤40 m的氮化硅陶瓷粉体 其 μ 他制备工艺制备的产品可参照执行。 2 规范性引用文件 。 , 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注 GB∕T 372582018 氮化硅陶瓷粉体国家标准pdf 原创力文档
氮化硅陶瓷 百度百科
氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。氮化硅的强度很高，尤其是热压氮化硅，是世界上最坚硬的物质之一。具有高强度、低密度、耐高温等性质。Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物，基本结构单元为[ SiN4 ]四面体，硅原子位于四面体的中心，在其周围有四个氮原子，分别位于四面体的四个 2023年6月25日 — 23 颗粒微观形貌 球磨时间为8 h时不同球磨介质制备的Si 3 N 4 粉体的SEM图像如图4所示。 由图4(a)可见,Si 3 N 4 原料的粒径约为450 μm,颗粒呈长条状,相互缠绕且尖锐,且存在严重团聚和粒径分布不均匀现象, 这是因为利用自蔓延合成法或硅粉氮化法在高温下制备出的Si 3 N 4 粉体易于团聚; 由图4(b)、 (c)可见 球磨介质对氮化硅粉体的微观形貌和表面氧化硅层的影响
氮化硅陶瓷介绍与应用 CERADIR 先进陶瓷在线
2020年11月7日 — 一般硅粉中含有Fe、SiO2、Ca等杂 质，要求这些杂质总量应小于2%。 Si粉氮化而得Si3N4 粉料一般为αSi3N4和βSi3N4混合物，将高纯硅粉在1200~ 1300℃氮化可得高含量αSi3N4， 而在1450℃氮化则得 2022年5月26日 — 氮化硅的烧结通常采用液相烧结的方式，更容易致密和各方面性能最优化。液相烧结需要烧结助剂的加入，为了提高氮化硅的性能，添加合适的烧结助剂来调节液相的组成以及含量非常重要。【原创】 浅述三大类氮化硅陶瓷烧结助剂 中国粉体网
氮化硅粉末化工百科 ChemBK
2024年1月2日 — 以硅粉为原料，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在1350～1450℃的高温炉中进行第二次 氰化，反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料，将硅石与碳按一定比例充分混合，通入氮气加热 1970年1月1日 — 硅粉氮化法[5]的基本原理是硅粉和氮气、氨气等含氮气体在高温下进行反应生成氮化硅,该方法具有产品性能稳定性好、成本低等优点,是应用最广泛、技术最成熟的氮化硅粉体批量化生产方法。 吴浩成等 [68] 在 1982 年氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展 CERADIR 先进
10亿元！氮化硅新材料项目签约桐乡中国纳米行业门户
4 天之前 — 10亿元！氮化硅新材料项目签约桐乡 2024/09/03 点击 287 次 中国粉体网讯 9月2日上午，在“招商突破年、变革创新年、环境提升年”月度工作推进活动上，总投资99亿元的40个优质产业项目集中签约。 其中，氮化硅新材料生产项目总投资 10亿元，主要建设 氮化硅粉体产线，其中一期项目计划投资5亿元 2023年3月9日 — 氮化硅简介 氮化硅的结构 氮化硅(Si3N4)是一种由硅和氮组成的共价键化合物，有α、β两种晶型。αSi3N4为颗粒结晶，βSi3N4为针状结晶体，两者均属六方晶系。 氮化硅的诞生1857年亨利爱丁圣克莱尔德维尔和氮化硅材料的性能特点及其应用简介 知乎
10亿元！氮化硅新材料项目签约桐乡 中国粉体网
3 天之前 — 中国粉体网讯 9月2日上午，在“招商突破年、变革创新年、环境提升年”月度工作推进活动上，总投资99亿元的40个优质产业项目集中签约。 其中，氮化硅新材料生产项目总投资 10亿元，主要建设 氮化硅粉体产线，其中一期项目计划投资5亿元，项目全部达产后预计可实现年产值6亿元。2024年1月2日 — 以硅粉为原料，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在1350～1450℃的高温炉中进行第二次 氰化，反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料，将硅石与碳按一定比例充分混合，通入氮气加热 氮化硅化工百科 ChemBK
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2016年1月6日 — 比较不同粒度硅粉氮化产物的氮含量与残留硅量，硅粉粒度降低，有利于氮化反应过程。图!硅粉在不同温度下氮化率与残留硅含量""素坯成型压力硅粉氮化反应为气—固或气—气反应机理，氮气应扩散至硅粉颗粒表面才能发生反应[l]。2024年1月2日 — 以硅粉为原料，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在1350～1450℃的高温炉中进行第二次 氰化，反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料，将硅石与碳按一定比例充分混合，通入氮气加热 氮化硅粉化工百科 ChemBK
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